P沟道场效应管

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IRLML6401

IRLML6401,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=50.0mOhms,Qg Typ=10.0nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -12V
Vgs: 8V
RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
Qg(Typ): 10.0nC
Rth(JC): 100 (JA)K/W

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