P沟道场效应管

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IRF9Z34N

IRF9Z34N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.7K/W,Power Dissipation@TC 25C=56W,Id@TC 25C=-17A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -55V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
Qg(Typ): 23.3nC
Rth(JC): 2.7K/W
Power Dissipation@TC 25C: 56W
Id@TC 25C: -17A

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