P沟道场效应管

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IRF5210L

IRF5210L,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=200W,Id@TC 25C=-40A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -100V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
Qg(Typ): 120.0nC
Rth(JC): 0.75K/W
Power Dissipation@TC 25C: 200W
Id@TC 25C: -40A

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