P沟道场效应管

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IRLHS2242

IRLHS2242,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=31.0mOhms,Qg Typ=12.0nC,Rth(JC)=13K/W,Power Dissipation@TC 25C=9.6W,Id@TC 25C=-15A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -20V
Vgs: 12V
RDS(on) Max@4.5V: 31.0mΩ
Qg(Typ): 12.0nC
Rth(JC): 13K/W
Power Dissipation@TC 25C: 9.6W
Id@TC 25C: -15A

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