P沟道场效应管

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IRFHS9301

IRFHS9301,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=37.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=65.0mOhms,Qg Typ=6.9nC,Rth(JC)=13K/W,Id@TC 25C=-13A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -30V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@10V: 37.0m?
RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
Qg(Typ): 6.9nC
Rth(JC): 13K/W
Id@TC 25C: -13A

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