P沟道场效应管

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IRF5806

IRF5806,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-20V,VGs=20V,RDS(on) Max 4.5V=86.0mOhms,Qg Typ=8.3nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,Power Dissipation@TC 25C=2.0W,Id@TC 25C=-4.0A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -20V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@4.5V: 86.0mΩ
Qg(Typ): 8.3nC
Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
Power Dissipation@TC 25C: 2.0W
Id@TC 25C: -4.0A

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