P沟道场效应管

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IRF9Z24N

IRF9Z24N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=175.0mOhms,Qg Typ=12.7nC,Rth(JC)=3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=45W,Id@TC 25C=-12A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -55V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
Qg(Typ): 12.7nC
Rth(JC): 3.3K/W
Power Dissipation@TC 25C: 45W
Id@TC 25C: -12A

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