P沟道场效应管

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IRF9383M

IRF9383M,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.9mOhms,RDS(on) Max 4.5V=4.8mOhms,Qg Typ=130.0nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=113W,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -30V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@10V: 2.9mΩ
RDS(on) Max@4.5V: 4.8m?
Qg(Typ): 130.0nC
Rth(JC): 1.1K/W
Power Dissipation@TC 25C: 113W

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