P沟道场效应管

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IRLMS6702

IRLMS6702,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=200.0mOhms,Qg Typ=5.8nC,Rth(JC)=75 (JA)K/W,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -20V
Vgs: 12V
RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
Qg(Typ): 5.8nC
Rth(JC): 75 (JA)K/W

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