P沟道场效应管

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IRFR5410

IRFR5410,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=205.0mOhms,Qg Typ=38.7nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C=66W,Id@TC 25C=13A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -100V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ
Qg(Typ): 38.7nC
Rth(JC): 1.9K/W
Power Dissipation@TC 25C: 66W
Id@TC 25C: 13A

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