N沟道场效应管

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IRF6609

IRF6609,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,批号2019年,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

N沟道功率MOS管
Vbrdss: 20V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@10V: 2.0mΩ

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