N沟道场效应管

全部集成电路(IC) 二极管三极管场效应管(MosFET) 开关元件整流器(整流管) 继电器传感器光电器件保护器件(TVS_ESD) 压电晶体,频率元件(晶振) 连接器,接插件 LED显示器件电容器电阻器电感器其它产品

你的位置 : 首页 > 产品展示 > 场效应管(MosFET) > N沟道场效应管

IRF6609

IRF6609,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,批号2019年,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

N沟道功率MOS管
Vbrdss: 20V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@10V: 2.0mΩ

推荐产品

订阅

跟上我们不断发展的产品功能和技术。输入您的电子邮件并订阅我们的时事通讯。

联系方式

地址: 广东省深圳市福田区
电话:86-755-83897562

手机:8675583897562
邮箱:szzetai@126.com在线支持：

关注我们

Copyright © 版权所有 2006-2026 深圳市泽泰科技

粤ICP备13037741号

电话

86-755-83897562