双N_双P沟道MOS管

全部集成电路(IC) 二极管三极管场效应管(MosFET) 开关元件整流器(整流管) 继电器传感器光电器件保护器件(TVS_ESD) 压电晶体,频率元件(晶振) 连接器,接插件 LED显示器件电容器电阻器电感器其它产品

你的位置 : 首页 > 产品展示 > 场效应管(MosFET) > 双N_双P沟道MOS管

IRF7379

IRF7379,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=75.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=180.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=45.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=90.0mOhms,Qg Typ N-ch=16.7nC,Qg Typ P-ch=16.7nC,Qgd Typ N-ch=5.3nC,Qgd Typ P-ch=6.0nC,Rth(JA)=50C/W,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

1N-1P双沟道MOS管
Vbrdss: 30V
Vgs(Max): 20V
RDS(on)@4.5V N-ch: 75.0mΩ
RDS(on)@4.5V P-ch: 180.0mΩ
RDS(on)@10V N-ch: 45.0mΩ
RDS(on)@10V P-ch: 90.0mΩ
Qg Typ N-ch: 16.7nC
Qg Typ P-ch: 16.7nC
Qgd Typ N-ch: 5.3nC
Qgd Typ P-ch: 6.0nC
Rth(JA): 50℃/W

推荐产品

订阅

跟上我们不断发展的产品功能和技术。输入您的电子邮件并订阅我们的时事通讯。

联系方式

地址: 广东省深圳市福田区
电话:0086-755-83897562

手机:008675583897562
邮箱:szzetai@126.com在线支持：

关注我们

Copyright © 版权所有 2006-2024 深圳市泽泰科技

粤ICP备13037741号

电话

0086-755-83897562