双N_双P沟道MOS管

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IRF7379

IRF7379,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=75.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=180.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=45.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=90.0mOhms,Qg Typ N-ch=16.7nC,Qg Typ P-ch=16.7nC,Qgd Typ N-ch=5.3nC,Qgd Typ P-ch=6.0nC,Rth(JA)=50C/W,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

1N-1P双沟道MOS管
Vbrdss: 30V
Vgs(Max): 20V
RDS(on)@4.5V N-ch: 75.0mΩ
RDS(on)@4.5V P-ch: 180.0mΩ
RDS(on)@10V N-ch: 45.0mΩ
RDS(on)@10V P-ch: 90.0mΩ
Qg Typ N-ch: 16.7nC
Qg Typ P-ch: 16.7nC
Qgd Typ N-ch: 5.3nC
Qgd Typ P-ch: 6.0nC
Rth(JA): 50℃/W

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