双N_双P沟道MOS管

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IRF9910

IRF9910,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=18.3mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

双N沟道MOS管
Vbrdss: 20V
Vgs(Max): 20V
RDS(on) Max@4.5V: 18.3mΩ
Rth(JA): 62.5℃/W

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