双N_双P沟道MOS管

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IRF3575D

IRF3575D,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 6 x 6封装,批号2019年,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=16V,RDS(on) Max 4.5V=1.35mOhms,Rth(JA)=19.1C/W,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

双N沟道MOS管
Vbrdss: 25V
Vgs(Max): 16V
RDS(on) Max@4.5V: 1.35mΩ
Rth(JA): 19.1℃/W

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