双N_双P沟道MOS管

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IRF7343Q

IRF7343Q,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrdss=55V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=65.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=170.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=105.0mOhms,Qg Typ N-ch=24.0nC,Qg Typ P-ch=26.0nC,Qgd Typ N-ch=7.0nC,Qgd Typ P-ch=8.4nC,Rth(JA)=62.5C/W,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

1N-1P双沟道MOS管
Vbrdss: 55V
Vgs(Max): 20V
RDS(on)@4.5V N-ch: 65.0mΩ
RDS(on)@4.5V P-ch: 170.0mΩ
RDS(on)@10V N-ch: 50.0mΩ
RDS(on)@10V P-ch: 105.0mΩ
Qg Typ N-ch: 24.0nC
Qg Typ P-ch: 26.0nC
Qgd Typ N-ch: 7.0nC
Qgd Typ P-ch: 8.4nC
Rth(JA): 62.5℃/W

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