BC636,晶体管,三极管,TO-92封装,批号2019年,参数为:Pcm=830mW,Ic=1000mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(M...
2019-08-08BC637,晶体管,三极管,TO-92封装,批号2019年,参数为:Pcm=830mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(M...
2019-08-08BC638,晶体管,三极管,TO-92封装,批号2019年,参数为:Pcm=830mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(M...
2019-08-08BC639,晶体管,三极管,TO-92封装,批号2019年,参数为:Pcm=830mW,Ic=1000mA,BVcbo=100V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(...
2019-08-08BC640,晶体管,三极管,TO-92封装,批号2019年,参数为:Pcm=830mW,Ic=1000mA,BVcbo=100V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(...
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