2SB649,晶体管,三极管,TO-126封装,批号2019年,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,...
2019-08-082SB649,晶体管,三极管,TO-126C封装,批号2019年,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=60...
2019-08-082SB649,晶体管,三极管,TO-92L封装,批号2019年,参数为:Pcm=900mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,h...
2019-08-082SB649A,晶体管,三极管,TO-126C封装,批号2019年,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=6...
2019-08-082SB649A,晶体管,三极管,TO-126封装,批号2019年,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=60...
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