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MJD41C

MJD41C,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,批号2019年,参数为:Pcm=1250mW,Ic=6000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=...

MJD41C,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,批号2019年,参数为:Pcm=1250mW,Ic=6000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe...

MJD42C,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,批号2019年,参数为:Pcm=1250mW,Ic=6000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=...

MJD42C,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,批号2019年,参数为:Pcm=1250mW,Ic=6000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe...

MJE170,晶体管,三极管,TO-126封装,批号2019年,参数为:Pcm=1500mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=7V,hfe(Min)=50,hf...

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