SMDA12C-7E3

SMDA12C-7E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 24 V; 最大反向关态电压: 12 V; 最小击穿电压: 13.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

配置:		 Array 7
方向类型:	 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散: 300 W
最大峰值脉冲电流: 5 A
最大反向漏电流:	 1 uA
最大钳位电压:	 24 V
最大反向关态电压: 12 V
最小击穿电压:	 13.3 V
测试电流:	 1 mA
工作温度:	 -55 to 150 ℃
安装方式:	 Surface Mount

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