1N6127AUS

1N6127AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 56V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 103.1 V; 最大反向关态电压: 56 V; 最小击穿电压: 71.3 V; 测试电流: 20 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

配置:		 Single
方向类型:	 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散: 500 W
最大峰值脉冲电流: 4.8 A
最大反向漏电流:	 1 uA
最大钳位电压:	 103.1 V
最大反向关态电压: 56 V
最小击穿电压:	 71.3 V
测试电流:	 20 mA
工作温度:	 -55 to 175 ℃
安装方式:	 Surface Mount

网站首页

产品展示

联系我们

1N6127AUS

电气特性 Features

推荐产品

1N6278AHE3

1N6152A

ICTE12HE3

5KP40AHE3

ICTE12CHE3

1.5KE18ARL4G

5KP78AHE3

1N6302E3

订阅

联系方式

关注我们