1N6115US

1N6115US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 33.3 V; 最大反向关态电压: 18.2 V; 最小击穿电压: 22.8 V; 测试电流: 50 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

配置:		 Single
方向类型:	 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散: 500 W
最大峰值脉冲电流: 15 A
最大反向漏电流:	 1 uA
最大钳位电压:	 33.3 V
最大反向关态电压: 18.2 V
最小击穿电压:	 22.8 V
测试电流:	 50 mA
工作温度:	 -55 to 175 ℃
安装方式:	 Surface Mount

网站首页

产品展示

联系我们

1N6115US

电气特性 Features

推荐产品

5KP16CAE3

TMPG06-39AHE3

1N6114A

1N6161A

1.5KE33CAHE3

1.5KE9.1CAHE3

5KP130E3

5KP120AE3

订阅

联系方式

关注我们