保护器件(TVS_ESD)
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1N6115US

1N6115US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 33.3 V; 最大反向关态电压: 18.2 V; 最小击穿电压: 22.8 V; 测试电流: 50 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
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  • 内容详情

电气特性 Features

  • 配置:		 Single
  • 方向类型:	 Bi-Directional
  • 峰值脉冲功率耗散: 500 W
  • 最大峰值脉冲电流: 15 A
  • 最大反向漏电流:	 1 uA
  • 最大钳位电压:	 33.3 V
  • 最大反向关态电压: 18.2 V
  • 最小击穿电压:	 22.8 V
  • 测试电流:	 50 mA
  • 工作温度:	 -55 to 175 ℃
  • 安装方式:	 Surface Mount

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