1N6110US

1N6110US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11.4V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.8 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳位电压: 21 V; 最大反向关态电压: 11.4 V; 最小击穿电压: 14.25 V; 测试电流: 75 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

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电气特性 Features

配置:		 Single
方向类型:	 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散: 500 W
最大峰值脉冲电流: 23.8 A
最大反向漏电流:	 20 uA
最大钳位电压:	 21 V
最大反向关态电压: 11.4 V
最小击穿电压:	 14.25 V
测试电流:	 75 mA
工作温度:	 -55 to 175 ℃
安装方式:	 Surface Mount

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