1N6109US

1N6109US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.9V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.5 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳位电压: 18.2 V; 最大反向关态电压: 9.9 V; 最小击穿电压: 12.35 V; 测试电流: 100 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

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电气特性 Features

配置:		 Single
方向类型:	 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散: 500 W
最大峰值脉冲电流: 27.5 A
最大反向漏电流:	 20 uA
最大钳位电压:	 18.2 V
最大反向关态电压: 9.9 V
最小击穿电压:	 12.35 V
测试电流:	 100 mA
工作温度:	 -55 to 175 ℃
安装方式:	 Surface Mount

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