保护器件(TVS_ESD)
全部 集成电路(IC) 二极管 三极管 场效应管(MosFET) 开关元件 整流器(整流管) 继电器 传感器 光电器件 保护器件(TVS_ESD) 压电晶体,频率元件(晶振) 连接器,接插件 LED显示器件 电容器 电阻器 电感器 其它产品
你的位置 : 首页 > 产品展示 > 保护器件(TVS_ESD)

1N6107US

1N6107US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.4V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳位电压: 15.6 V; 最大反向关态电压: 8.4 V; 最小击穿电压: 10.45 V; 测试电流: 125 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
在线询价
  • 内容详情

电气特性 Features

  • 配置:		 Single
  • 方向类型:	 Bi-Directional
  • 峰值脉冲功率耗散: 500 W
  • 最大峰值脉冲电流: 32 A
  • 最大反向漏电流:	 20 uA
  • 最大钳位电压:	 15.6 V
  • 最大反向关态电压: 8.4 V
  • 最小击穿电压:	 10.45 V
  • 测试电流:	 125 mA
  • 工作温度:	 -55 to 175 ℃
  • 安装方式:	 Surface Mount

推荐产品

订阅

跟上我们不断发展的产品功能和技术。 输入您的电子邮件并订阅我们的时事通讯。

联系方式

  • 地址: 广东省深圳市福田区
  • 电话:86-755-83897562
    手机:8675583897562
  • 邮箱:szzetai@126.com在线支持：在线加好友  在线支持

关注我们

Copyright © 版权所有 2006-2026 深圳市泽泰科技

粤ICP备13037741号

电话

86-755-83897562