1N6105US

1N6105US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.9V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 37.3 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳位电压: 13.4 V; 最大反向关态电压: 6.9 V; 最小击穿电压: 8.65 V; 测试电流: 150 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

配置:		 Single
方向类型:	 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散: 500 W
最大峰值脉冲电流: 37.3 A
最大反向漏电流:	 20 uA
最大钳位电压:	 13.4 V
最大反向关态电压: 6.9 V
最小击穿电压:	 8.65 V
测试电流:	 150 mA
工作温度:	 -55 to 175 ℃
安装方式:	 Surface Mount

网站首页

产品展示

联系我们

1N6105US

电气特性 Features

推荐产品

5KP51AE3

5KP120E3

PIP250

1.5KE16ARL4G

1N6283A-E3

1.5KE160CAHE3

1N6302E3

1N6158

订阅

联系方式

关注我们