1N6104US

1N6104US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 41.3 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳位电压: 12.1 V; 最大反向关态电压: 6.2 V; 最小击穿电压: 7.79 V; 测试电流: 150 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

配置:		 Single
方向类型:	 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散: 500 W
最大峰值脉冲电流: 41.3 A
最大反向漏电流:	 20 uA
最大钳位电压:	 12.1 V
最大反向关态电压: 6.2 V
最小击穿电压:	 7.79 V
测试电流:	 150 mA
工作温度:	 -55 to 175 ℃
安装方式:	 Surface Mount

网站首页

产品展示

联系我们

1N6104US

电气特性 Features

推荐产品

1.5KE56ARL4G

5KP160CE3

1.5KE11CA-E3

5KP100AE3

1.5KE24CA-E3

5KP36A-E3

5KP12AE3

1N6125

订阅

联系方式

关注我们