SMCJ200AE3

SMCJ200AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

配置:		 Single
方向类型:	 Uni-Directional
峰值脉冲功率耗散: 1500 W
工作温度:	 -65 to 150 ℃
安装方式:	 Surface Mount

推荐产品

ICTE18C-E3

ICTE18C-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参...
1N6151A

1N6151A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: ...
PTVS10-076C

PTVS10-076C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, ...
1.5KE12A-E3

1.5KE12A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, ...
1N6282AG

1N6282AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数:...
1.5KE11A-E3

1.5KE11A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, ...
5KP22AE3

5KP22AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数:...
1N6116

1N6116, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: S...

跟上我们不断发展的产品功能和技术。输入您的电子邮件并订阅我们的时事通讯。

网站首页

产品展示

联系我们

SMCJ200AE3

电气特性 Features

推荐产品

ICTE18C-E3

1N6151A

PTVS10-076C

1.5KE12A-E3

1N6282AG

1.5KE11A-E3

5KP22AE3

1N6116

订阅

联系方式

关注我们