1N6162AUS

1N6162AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 97.1 V; 最大反向关态电压: 51.7 V; 最小击穿电压: 64.6 V; 测试电流: 20 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

配置:		 Single
方向类型:	 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散: 1500 W
最大峰值脉冲电流: 15.4 A
最大反向漏电流:	 5 uA
最大钳位电压:	 97.1 V
最大反向关态电压: 51.7 V
最小击穿电压:	 64.6 V
测试电流:	 20 mA
工作温度:	 -55 to 175 ℃
安装方式:	 Surface Mount

网站首页

产品展示

联系我们

1N6162AUS

电气特性 Features

推荐产品

5KP13CAE3

TMPG06-11HE3

1N6121A

5KP60E3

JAN1N6461

1.5KE30CAHE3

5KP6.0AE3

5KP36AE3

订阅

联系方式

关注我们