SMBJ75CE3

SMBJ75CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 75V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 134 V; 最大反向关态电压: 75 V; 最小击穿电压: 83.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

配置:		 Single
方向类型:	 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散: 600 W
最大峰值脉冲电流: 4.5 A
最大反向漏电流:	 1 uA
最大钳位电压:	 134 V
最大反向关态电压: 75 V
最小击穿电压:	 83.3 V
测试电流:	 1 mA
工作温度:	 -65 to 150 ℃
安装方式:	 Surface Mount

网站首页

产品展示

联系我们

SMBJ75CE3

电气特性 Features

推荐产品

5KP15AE3

1.5KE39CA

1.5KE6.8CA-E3

1.5KE16AHE3

1.5KE9.1CAHE3

1N6267A-E3

1N6377G

1N6376-E3

订阅

联系方式

关注我们