保护器件(TVS_ESD)

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1N5660AE3

1N5660AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 111V 1500W,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 179 V; 最大反向关态电压: 111 V; 最小击穿电压: 124 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

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