1N6165

1N6165, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 69.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 125.1 V; 最大反向关态电压: 69.2 V; 最小击穿电压: 86.5 V; 测试电流: 15 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

配置:		 Single
方向类型:	 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散: 1500 W
最大峰值脉冲电流: 12 A
最大反向漏电流:	 5 uA
最大钳位电压:	 125.1 V
最大反向关态电压: 69.2 V
最小击穿电压:	 86.5 V
测试电流:	 15 mA
工作温度:	 -55 to 175 ℃
安装方式:	 Through Hole

网站首页

产品展示

联系我们

1N6165

电气特性 Features

推荐产品

5KP48AHE3

1N6377-E3

1N6275AG

5KP188AHE3

1.5KE68A-E3

5KP8.5CAE3

5KP6.0AE3

5KP43CE3

订阅

联系方式

关注我们