1N6132A

1N6132A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 91.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 165.1 V; 最大反向关态电压: 91.2 V; 最小击穿电压: 114 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

配置:		 Single
方向类型:	 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散: 500 W
最大峰值脉冲电流: 3 A
最大反向漏电流:	 1 uA
最大钳位电压:	 165.1 V
最大反向关态电压: 91.2 V
最小击穿电压:	 114 V
测试电流:	 10 mA
工作温度:	 -55 to 175 ℃
安装方式:	 Through Hole

网站首页

产品展示

联系我们

1N6132A

电气特性 Features

推荐产品

1N6157

5KP85AHE3

5KP64CE3

1.5KE6.8AHE3

1.5KE16A-E3

5KP7.0A-E3

1.5KE43CA-E3

PTVS10-170C

订阅

联系方式

关注我们