1N6109

1N6109, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.9V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 18.2 V; 最大反向关态电压: 9.9 V; 最小击穿电压: 12.35 V; 测试电流: 100 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

配置:		 Single
方向类型:	 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散: 500 W
最大峰值脉冲电流: 27.5 A
最大反向漏电流:	 1 uA
最大钳位电压:	 18.2 V
最大反向关态电压: 9.9 V
最小击穿电压:	 12.35 V
测试电流:	 100 mA
工作温度:	 -55 to 175 ℃
安装方式:	 Through Hole

网站首页

产品展示

联系我们

1N6109

电气特性 Features

推荐产品

1N6274AG

5KP8.5AE3

5KP100AHE3

1.5KA43HE3

5KP28A-E3

1.5KE39CA-E3

1N6158A

TMPG06-15AHE3

订阅

联系方式

关注我们