TPD2E001DRST-NM

TPD2E001DRST-NM,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc/15@HBM kV; 最大漏电流:0.001 uA; 电容值:1.5(Typ) pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:85 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

Type:	Diode Arrays
Pin Count:	6
Direction Type:	Uni-Directional
Maximum Clamping Voltage:	105.5 V
Number of Elements per Chip:	2
ESD Protection Voltage:	±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@HBM kV
Maximum Leakage Current:	0.001 uA
Capacitance Value:	1.5(Typ) pF
Minimum Operating Temperature:	-40 ℃
Maximum Operating Temperature:	85 ℃
Mounting:	Surface Mount
Rad Hard:	No

网站首页

产品展示

联系我们

TPD2E001DRST-NM

电气特性 Features

推荐产品

5KP120A-E3

1.5KE56A

TVS305SM

1.5KA18AHE3

1N6113A

1.5KE36CA-E3

1N6283A-E3

1.5KE170AHE3

订阅

联系方式

关注我们