DF10G7M1N,LF

DF10G7M1N,LF,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:DFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:0.5 uA; 电容值:0.5 pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

Type:	Diode Arrays
Configuration:	Quad
Pin Count:	10
Direction Type:	Uni-Directional
Maximum Clamping Voltage:	12(Typ) V
Number of Elements per Chip:	4
ESD Protection Voltage:	±8@Contact Disc kV
Maximum Working Voltage:	5 V
Maximum Leakage Current:	0.5 uA
Capacitance Value:	0.5 pF
Minimum Operating Temperature:	-55 ℃
Maximum Operating Temperature:	150 ℃
Mounting:	Surface Mount
Rad Hard:	No

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