RF射频IC及微波元器件
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TRF1123IRTMTG3

TRF1123IRTMTG3,射频运放芯片,RF Amp Chip Single Power Amp 2.7GHz 5.25V/7.35V,品牌:TI,封装:32VQFN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
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电气特性 Features

Number of Channels per Chip:1
Type:Power Amplifier
Typical Gain Flatness:3 dB
Typical Output Power:31.5@2700MHz dBm
Typical Power Gain:30@2700MHz dB
Maximum Operating Frequency Range:2000 to 3000 MHz
Maximum Output Return Loss:8(Typ) dB
Typical Noise Figure:6 dB
Typical Output Intercept Point:52@2700MHz dBm
Typical Single Supply Voltage:7 V
Maximum Power Dissipation:5500 mW
Maximum Supply Current:700@7V mA
Rad Hard:No

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