2SB1216T-H

2SB1216T-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@5V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@2A V; 最大集电极基极电压:120 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:1000 mW; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

Type:	PNP
Pin Count:	3
Maximum Collector Emitter Voltage:	100 V
Maximum DC Collector Current:	4 A
Minimum DC Current Gain:	200@0.5A@5V
Maximum Operating Frequency:	180(Typ) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	0.5@0.2A@2A V
Maximum Collector Base Voltage:	120 V
Operating Temperature:	-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:	1000 mW
Mounting:	Through Hole
Rad Hard:	No

网站首页

产品展示

联系我们

2SB1216T-H

电气特性 Features

推荐产品

BC817-40,215

2SC4488T-AN

BC52-16PA,115

2SA1705S-AN

BC639G

50A02SS-TL-E

BC856UE6327

2PD602ASL,215

订阅

联系方式

关注我们