MJD31CT4

MJD31CT4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-252-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:20@500mA@10V|3@0.5A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A V; 最大集电极基极电压:100 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:15000 mW; 安装方式:Surface Mount. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

Type:	NPN
Pin Count:	3
Maximum Collector Emitter Voltage:	100 V
Maximum DC Collector Current:	3 A
Minimum DC Current Gain:	20@500mA@10V\|3@0.5A@10V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	1.2@375mA@3A V
Maximum Collector Base Voltage:	100 V
Operating Temperature:	-65 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:	15000 mW
Mounting:	Surface Mount
Rad Hard:	No

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