功率晶体管
全部 集成电路(IC) 二极管 三极管 场效应管(MosFET) 开关元件 整流器(整流管) 继电器 传感器 光电器件 保护器件(TVS_ESD) 压电晶体,频率元件(晶振) 连接器,接插件 LED显示器件 电容器 电阻器 电感器 其它产品
你的位置 : 首页 > 产品展示 > 三极管 > 功率晶体管

HN1C03FU-B(TE85L,F)

HN1C03FU-B(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:200@4mA@2V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@3mA@30mA V; 最大集电极基极电压:50 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:200 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
在线询价
  • 内容详情

电气特性 Features

Type:NPN
Pin Count:6
Maximum Collector Emitter Voltage:20 V
Maximum DC Collector Current:0.3 A
Minimum DC Current Gain:200@4mA@2V
Maximum Operating Frequency:30(Typ) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.1@3mA@30mA V
Maximum Collector Base Voltage:50 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:200 mW
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No

推荐产品

订阅

跟上我们不断发展的产品功能和技术。 输入您的电子邮件并订阅我们的时事通讯。

联系方式

  • 地址: 广东省深圳市福田区
  • 电话:86-755-83897562
    手机:8675583897562
  • 邮箱:szzetai@126.com在线支持：在线加好友  在线支持

关注我们

Copyright © 版权所有 2006-2026 深圳市泽泰科技

粤ICP备13037741号

电话

86-755-83897562