功率晶体管
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HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SM-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:350@4mA@2V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@3mA@30mA V; 最大集电极基极电压:50 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:300 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
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  • 内容详情

电气特性 Features

Type:NPN
Pin Count:6
Maximum Collector Emitter Voltage:20 V
Maximum DC Collector Current:0.3 A
Minimum DC Current Gain:350@4mA@2V
Maximum Operating Frequency:30(Typ) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.1@3mA@30mA V
Maximum Collector Base Voltage:50 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:300 mW
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No

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