HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA@NPN|0.3@10mA@100mA@PNP V; 最大集电极基极电压:60@NPN|50@PNP V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 最大功率耗散:200 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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电气特性 Features

Type:	NPN\|PNP
Pin Count:	6
Maximum Collector Emitter Voltage:	50 V
Maximum DC Collector Current:	0.15 A
Minimum DC Current Gain:	120@2mA@6V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	0.25@10mA@100mA@NPN\|0.3@10mA@100mA@PNP V
Maximum Collector Base Voltage:	60@NPN\|50@PNP V
Operating Temperature:	-55 to 125 ℃
Maximum Power Dissipation:	200 mW
Mounting:	Surface Mount
Rad Hard:	No

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