HN1B04F(TE85L,F)

HN1B04F(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SM-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@400mA@6V|70@100mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:300 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

Type:	NPN\|PNP
Pin Count:	6
Maximum Collector Emitter Voltage:	30 V
Maximum DC Collector Current:	0.5 A
Minimum DC Current Gain:	25@400mA@6V\|70@100mA@1V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	0.25@10mA@100mA V
Maximum Collector Base Voltage:	35 V
Operating Temperature:	-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:	300 mW
Mounting:	Surface Mount
Rad Hard:	No

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