功率晶体管
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2N5415S

2N5415S,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-39-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:200 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V|15@1mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:2@5mA@50mA V; 最大集电极基极电压:200 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 最大功率耗散:750 mW; 安装方式:Through Hole. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562
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  • 内容详情

电气特性 Features

Type:PNP
Pin Count:3
Maximum Collector Emitter Voltage:200 V
Maximum DC Collector Current:1 A
Minimum DC Current Gain:30@50mA@10V|15@1mA@10V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:2@5mA@50mA V
Maximum Collector Base Voltage:200 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Maximum Power Dissipation:750 mW
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No

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