2N3767

2N3767,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-66-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@5V|40@500mA@5V|20@1A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@0.1A@1A|1@0.05A@0.5A V; 最大集电极基极电压:100 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 最大功率耗散:25000 mW; 安装方式:Through Hole. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562

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电气特性 Features

Type:	NPN
Pin Count:	3
Maximum Collector Emitter Voltage:	80 V
Maximum DC Collector Current:	4 A
Minimum DC Current Gain:	30@50mA@5V\|40@500mA@5V\|20@1A@10V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	2.5@0.1A@1A\|1@0.05A@0.5A V
Maximum Collector Base Voltage:	100 V
Operating Temperature:	-65 to 200 ℃
Maximum Power Dissipation:	25000 mW
Mounting:	Through Hole
Rad Hard:	No

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