功率晶体管
全部 集成电路(IC) 二极管 三极管 场效应管(MosFET) 开关元件 整流器(整流管) 继电器 传感器 光电器件 保护器件(TVS_ESD) 压电晶体,频率元件(晶振) 连接器,接插件 LED显示器件 电容器 电阻器 电感器 其它产品
你的位置 : 首页 > 产品展示 > 三极管 > 功率晶体管

2DB1132R-13

2DB1132R-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:180@100mA@3V; 最大工作频率:190(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@500mA V; 最大集电极基极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:1000 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
在线询价
  • 内容详情

电气特性 Features

Type:PNP
Pin Count:4
Maximum Collector Emitter Voltage:32 V
Maximum DC Collector Current:1 A
Minimum DC Current Gain:180@100mA@3V
Maximum Operating Frequency:190(Typ) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.5@50mA@500mA V
Maximum Collector Base Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:1000 mW
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No

推荐产品

订阅

跟上我们不断发展的产品功能和技术。 输入您的电子邮件并订阅我们的时事通讯。

联系方式

  • 地址: 广东省深圳市福田区
  • 电话:0086-755-83897562
    手机:008675583897562
  • 邮箱:szzetai@126.com在线支持：在线加好友  在线支持

关注我们

Copyright © 版权所有 2006-2024 深圳市泽泰科技

粤ICP备13037741号

电话

0086-755-83897562