MJD253-1G

MJD253-1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:IPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:40@200mA@1V|15@1A@1V; 最大工作频率:40(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@50mA@500mA|0.6@100mA@1A V; 最大集电极基极电压:100 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:1400 mW; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

Type:	PNP
Pin Count:	3
Maximum Collector Emitter Voltage:	100 V
Maximum DC Collector Current:	4 A
Minimum DC Current Gain:	40@200mA@1V\|15@1A@1V
Maximum Operating Frequency:	40(Min) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	0.3@50mA@500mA\|0.6@100mA@1A V
Maximum Collector Base Voltage:	100 V
Operating Temperature:	-65 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:	1400 mW
Mounting:	Through Hole
Rad Hard:	No

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