MJD31C1G

MJD31C1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:IPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A V; 最大集电极基极电压:100 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:1560 mW; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

Type:	NPN
Pin Count:	3
Maximum Collector Emitter Voltage:	100 V
Maximum DC Collector Current:	3 A
Minimum DC Current Gain:	25@1A@4V\|10@3A@4V
Maximum Operating Frequency:	3(Min) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	1.2@375mA@3A V
Maximum Collector Base Voltage:	100 V
Operating Temperature:	-65 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:	1560 mW
Mounting:	Through Hole
Rad Hard:	No

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