MJD42C1G

MJD42C1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:IPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@4V|15@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@600mA@6A V; 最大集电极基极电压:100 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:1750 mW; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

Type:	PNP
Pin Count:	3
Maximum Collector Emitter Voltage:	100 V
Maximum DC Collector Current:	6 A
Minimum DC Current Gain:	30@0.3A@4V\|15@3A@4V
Maximum Operating Frequency:	3(Min) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	1.5@600mA@6A V
Maximum Collector Base Voltage:	100 V
Operating Temperature:	-65 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:	1750 mW
Mounting:	Through Hole
Rad Hard:	No

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