MMBT5550LT1G

MMBT5550LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:0.06 A; 最小DC直流电流增益:60@1mA@5V|60@10mA@5V|20@50mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.15@1mA@10mA|0.25@5mA@50mA V; 最大集电极基极电压:160 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:300 mW; 安装方式:Surface Mount. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

Type:	NPN
Pin Count:	3
Maximum Collector Emitter Voltage:	140 V
Maximum DC Collector Current:	0.06 A
Minimum DC Current Gain:	60@1mA@5V\|60@10mA@5V\|20@50mA@5V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	0.15@1mA@10mA\|0.25@5mA@50mA V
Maximum Collector Base Voltage:	160 V
Operating Temperature:	-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:	300 mW
Mounting:	Surface Mount
Rad Hard:	No

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