功率晶体管
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MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最小DC直流电流增益:60@4mA@10V; 最大工作频率:650(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.4mA@4mA V; 最大集电极基极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:300 mW; 安装方式:Surface Mount. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562
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  • 内容详情

电气特性 Features

Type:NPN
Pin Count:3
Maximum Collector Emitter Voltage:25 V
Minimum DC Current Gain:60@4mA@10V
Maximum Operating Frequency:650(Min) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.5@0.4mA@4mA V
Maximum Collector Base Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:300 mW
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No

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